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- 4Mbit Flash存储单元，512页面，（1024字节/页） - 与SPI规范兼容的串行输入输出结构 - 1024字节SRAM数据缓冲区 - 页面刷新时间：10ms - 芯片刷新时间：2s - 时钟频率：10MHz - 电源电压：2.7-3.5V - 读操作电流：23mA - 写操作电流：33mA - 静态电流：10uA - 内置上电复位电路
