高密度等离子刻蚀ULHITETM NE-7800H
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产品详情
“高密度等离子刻蚀ULHITETM NE-7800H”参数说明
| 是否有现货： | 否 | 品牌： | UlVAC |
| 用途： | 刻蚀 | 自动化程度： | 全自动 |
| 是否加工定制： | 是 | 电流： | 交流 |
| 型号： | ULHITETM NE-7800H | 商标： | UlVAC |
“高密度等离子刻蚀ULHITETM NE-7800H”详细介绍
量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800
量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。
产品特性 / Product characteristics
除单腔之外，另可搭载有磁场ICP（ISM）或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。
为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。
拥有简便的维护构造，实现downtime 短化，提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。
专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。
产品应用 / Product application
化合物（LED或LD、高频器件）或Power device（IGBT配線加工、SiC加工）。
金属配线或层间绝缘膜（树脂类）、门电极加工工艺
强电介质材料或贵金属刻蚀。
磁性体材料加工。
高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H
高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料（强电介质层、贵金属、磁性膜等）的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。
产品特性 / Product characteristics
有磁场ICP（ISM）方式-可产生低圧？高密度plasma、为不挥发性材料加工的专用设备。
可提供对应从常温到高温（400ºC）的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。
通过从腔体到排气line、DRP为止的均匀加热来防止沉积物。
该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构，是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。
实现了长期的再现性、安定性
产品应用 / Product application
FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.
研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570
研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570，是搭载了爱发科独chuang的磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的装置，此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。
产品特性 / Product characteristics
NLD用于与ICP方式相比 低压、高密度、 低电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。
高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工，在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。
石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀（100μ m以上）。
可实现高速刻蚀（石英＞1μ m/min、Pyrex＞0.8μ m/min）
可追加cassette室。
产品应用 / Product application
光学器件（光衍射格子、変调器、光开关等等）、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。
干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX
对应LED量产专用的干法刻蚀设备？NE-950EX？相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科独自开发的星型电极的干法刻蚀设备。
产品特性 / Product characteristics
4inch晶圆可放置7片同时处理，6inch晶圆可实现3片同时处理，小尺寸晶圆方面，2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。
搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP（ISM）高密度等离子源。
高生产性（比以前提高140%）。
为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极。
贯彻Depo对策，实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。
拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术（GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体）。
丰富的可选机能。
产品应用 / Product application
对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备
对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700
对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线（NLD- neutral loop discharge）等离子源的量产用干法刻蚀装置。（此爱发科独chuang的NLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子）
产品特性 / Product characteristics
？ 在洁净房内作业可扩张为双腔。（可选配腔室：NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室）
？ NLD为时间空间可控的等离子，因此设备干法清洁容易。
？ 腔体维护简便。
？ 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀，可提供各类工艺解决方案。
？ 专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。
产品应用 / Product application
？ 光学器件（折射格子、光波导、光学开关等等）、凹凸型微透镜。
？ 流体路径作成或光子学结晶。
批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300
批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm，300mm尺寸晶圆。
产品特性 / Product characteristics
？ 高产率以及低CoO
？ 良好的刻蚀均一性（小于±5%/批）和再现性
？ 干法刻蚀
？ Damage-Free（远端等离子、低温工艺）
？ 自对准接触电阻仅为湿法的1/2
？ 灵活的装置布局
？ 高维护性（方便的侧面维护）
？ 300mm晶圆批处理：50枚/批
产品应用 / Product application
？ 自对准接触形成工艺前处理
？ 电镀工艺前处理
？ 晶膜生长前处理
？ Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理
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