供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及工业 材料
产品名称：  金及金基合金溅射靶材
牌号规格：  Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4
用途备注：  金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。

产 品 详 情
高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED），    
和民用微波通信器件， 、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。

化学成分
序号  合金牌号  主成分
   Au  Ge  Ni  Ga  Be
1  Au1  ≥99.99        
2  Au01  ≥99.999  ——  ——  ——  ——
3  Au88Ge  88±0.5  余量  ——  ——  ——
4  Au83.5GeNi  83.5±0.5  余量  5±0.4    
备注：可按客户要求提供其它成分的产品。
外形尺寸(mm)
合金牌号  形状  规格  允许偏差  厚度  允许偏差
Au1、Au01  圆形  100-250  ±0.1  3～6  ±0.2
 方形  127×381  ±1  3～6  ±0.2
AuGe12、Au83.5GeNi、  圆形  100-250  ±0.3  6  ±0.5
 方形  127×381  ±1  6  ±0.5
备注：可供其它规格和允许偏差的产品。