Ge2Sb2Te5化合物被认为是合适的相变材料,已在可擦写光盘等产业中得到了广泛应用。溅射法是制备相变存储薄膜的主要方法。薄膜的性质不仅受溅射工艺控制,靶材作为薄膜的源材料,其纯度、成份、相结构和致密度等性质很大程度上决定了薄膜的品质。国内对相变存储材料的研究主要集中于材料的掺杂改性和器件结构的设计改进,对靶材研究报道很少,使用的靶材往往也是从国外购买。

日本高纯度Ge2Sb2Te5靶材

我们通过将熔化技术，烧结技术，合成技术以及加工技术进行技术融合，可以对各种素材，纯度以及形状的产品进行处理。

金属靶材

高纯度金属Al, Co, Cu, Fe, Mg, Mn, Sn

高熔点金属合金Cr,Mo,Nb,Ta,Ti,V,W系列的合金

非磁性合金Al, Bi, Cu, Mg, Sn, Zn系列的合金/ Bi2Te3, Mg2Si

磁性合金Co, Fe, Ni系列的合金/ Co-Fe-B, Co-Pt, Fe-Pt

赫斯勒合金Co, Fe, Ni基赫斯勒合金

Mn系列的合金Mn-Al, Mn-Bi, Mn-Ga, Mn-Ir, Mn-Si

贵金属合金Au,Ag,Pt,Pd系列的合金

无机化合物靶材

氧化物Al2O3,MgO,SiO2,TiO2,ZnO,La2O3，ITO,PZT,STO,LiCoO2,Li4Ti5O12,Li3PO4

碳化物SiC,B4C,WC

其他化合物氮化物，氟化物，磷化物，硫化物，硒化物

复合靶材

金属相Co-Cr-Pt, Fe, Fe-Ni, Fe-Pt等各种纯金属?合金

非金属相Al2O3, MgO, SiO2等各种氧化物?氮化物