MMBT5551LT1G ON直供
- 买家还在看 -
-
面议 -
面议 -
面议 -
面议 -
面议 -
面议 -
面议 -
面议
<
>
扫码发送给微信好友 
产品详情
“MMBT5551LT1G ON直供”参数说明
| 结构形式： | NPN | 结构工艺： | 合金管 |
| 安装方式： | 贴片 | 材料： | 锗管 |
| 封装形式： | 金属封装 | 工作状态： | 截止 |
| 型号： | MMBT5551LT1G | 商标： | ON |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） | 类别： | 分立半导体产品, 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 |
| 晶体管类型： | NPN | 电流 - 集电极截止： | 100nA |
| 电压 - 集射极击穿： | 160V | 电流 - 集电极（Ic）： | 600mA |
| 功率 - 最大值： | 225mW |
“MMBT5551LT1G ON直供”详细介绍
MMBT5551LT1G 商品详情
库存：341907
起订量：20
最小包装量：1
商品型号：MMBT5551LT1G
制造商：ON
类别：分立半导体产品, 晶体管 - 双极 (BJT) - 单
功率 - 最大值：225mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
零件状态：在售
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：160V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：80 @ 10mA，5V
注册即送288元优惠券（可抵现）
注册官网网址：/?
查看更多产品> 向您推荐
内容声明：您在中国制造网采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责，请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。
价格说明：该商品的参考价格，并非原价，该价格可能随着您购买数量不同或所选规格不同而发生变化；由于中国制造网不提供线上交易，最终 格，请咨询卖家，以实际 格为准。
