9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管
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产品详情
“9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | mos管9926 |
| 品牌： | mos管9926 | 类型： | 增强型MOS管(N沟道) |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 |
| 用途： | mos管9926 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | mos管9926 | 规格： | 9926mos管 |
| 商标： | 9926 SOP-8 | 包装： | N沟道场效应管 |
“9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管”详细介绍
n沟道mos管9926贴片sop-8低压mos芯片
9926mos管是性能很高的沟槽N沟道MOSFET，具有 的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷，9926mos管符合RoHS和绿色产品要求，并获得全面的功能可靠性认证。
9926mos管 的高单元密度沟槽技术z 栅极电荷z出色的Cdv / dt效应下降z绿色器件可用，双N沟道场效应管，VDS=20V、IDS=6A、PD=2W。
9926低压mos 最大额定值：
湾脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2％，超出“ 最大额定值”下列出的应力可能会对器件造成 性损坏，这些仅是压力等级和功能操作不暗示设备在这些或任何其他条件下超出规范操作部分所述的条件，暴露于 最大值延长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。
骊微电子专注于各品牌DIP直插、SMD贴片集成电路IC,电源管理,二三极管,肖特基及快恢复,可控硅,整流桥堆等电子元器件,承接厂家BOM物料清单配套服务!
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