国产光刻机单双面光刻机紫外光刻接触式光刻

一、主要用途: 本设备广泛应用于进行批量生产的各大、中、小型企业，它主要用于中小规模集 成电路、半导体元器件、声表面波器件的研制和生产,由于本机找平机构，找平力 小、使本机不仅适合各型基片的曝光，而且也适合易碎片如 化钾、磷化铟等基片的曝 光以及非圆形基片和小型基片的曝光。

二、 主要性能指标 1、曝光类型：单面，接触式；

2、曝光面积：110×110mm；

3、曝光照度不均匀性：≤±3%；

4、曝光强度：0～30mw/cm2可调；

5、紫外光束角：≤3?；

6、紫外光中心波长：365nm（也可以配专用曝光头实现 g 线、h 线、I 线的组合）；

7、紫外光源寿命：≥2 万小时；

8、曝光分辨率：1μm（正胶，胶厚 1.5μm）

9、曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10、显微镜扫描范围：X： ±15mm Y： ±15mm；

11、对准范围：X、Y±3mm；Q 粗调±15°，细调±3°；

12、套刻精度：1μm;

13、分离量；0～50μm 可调；

14、接触－分离漂移：≤2μm；

15、曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

16、找平方式：三点式自动找平；

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