ON/安森美 三极管 MUN5234DW1T1G
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产品详情
“ON/安森美 三极管 MUN5234DW1T1G”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 认证： | ISO9001 |
| 结构形式： | NPN | 结构工艺： | 平面管 |
| 安装方式： | SMD/SMT | 材料： | 硅管 |
| 封装形式： | SOT-363 | 工作状态： | 187 mW |
| 型号： | MUN5234DW1T1G | 规格： | MUN5234DW1T1G |
| 商标： | ON/安森美 | 包装： | 标准卷带 |
| - 55 C： | + 150 C |
“ON/安森美 三极管 MUN5234DW1T1G”详细介绍
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MUN5234DW1T1G |
| 批号： | 20+ |
| 封装： | SOT-363 |
| 数量： | 81000 |
| QQ： | 394524068 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | 双极晶体管 - 预偏置 |
| RoHS： | 是 |
| 配置： | Dual |
| 晶体管极性： | NPN |
| 典型输入电阻器： | 22 kOhms |
| 典型电阻器比率： | 0.47 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-363-6 |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min： | 80 |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 50 V |
| 集电极连续电流： | 0.1 A |
| 峰值直流集电极电流： | 100 mA |
| Pd-功率耗散： | 187 mW |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| 系列： | MUN5234DW1 |
| 封装： | Cut Tape |
| 封装： | MouseReel |
| 封装： | Reel |
| 直流电流增益 hFE 最大值： | 80 at 5 mA at 10 V |
| 高度： | 0.9 mm |
| 长度： | 2 mm |
| 宽度： | 1.25 mm |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 产品类型： | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | Transistors |
| 单位重量： | 12 mg |
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