CRESTEC 电子束光刻系统CABL-9000C
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产品详情
“CRESTEC 电子束光刻系统CABL-9000C”参数说明
| 别名： | Crestec 电子束光刻系统cabl- | 是否有现货： | 是 |
| 认证： | Crestec 电子束光刻系统cabl- | 品牌： | Crestec 电子束光刻系统cabl- |
| 用途： | Crestec 电子束光刻系统cabl- | 自动化程度： | 半自动 |
| 是否加工定制： | 是 | 电流： | 交流 |
| 型号： | Crestec 电子束光刻系统cabl- | 规格： | Crestec 电子束光刻系统cabl- |
| 商标： | Crestec 电子束光刻系统cabl- | 包装： | Crestec 电子束光刻系统cabl- |
“CRESTEC 电子束光刻系统CABL-9000C”详细介绍
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CABL-9000C series
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是 的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪 纳米科技提供 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm， 束斑直径2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数：
1.最小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：5-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是 的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪 纳米科技提供 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括：
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技术参数：
加速电压： 130keV
单段加速能力达到130keV，尽量减少电子 的长度
超短电子 长度，无微放电
电子束直径＜1.6nm
最小线宽＜7nm
双热控制，实现超稳定直写能力
Electron Beam Lithography System(EBL)
电子束光刻系统
日本 CRESTEC 是世界上制造专业电子束光刻设备的 厂商之一，其制造的电子束光刻机以其 的专业技术， 的电子束稳定性，电子束定位精度以及拼接套刻精度赢得了世界上 科研机构以及半导体公司的青睐。其中 CABL 系列 是世界上 的产品之一。
CRESTEC CABL 系列采用专业的恒温控制系统，使得整个主系统的温度保持恒定，再加上主系统内部精密传感装置，使得电子束电流稳定性，电子束定位稳定性，电子束电流分布均一性都得到了 的提高，其性能指标远远高于其它厂家的同类产品，在长达 5 小时的时间内，电子束电流和电子束定位非常稳定，电子束电流分布也非常均一。
由于 EBL 刻写精度很高，因此写满整个 Wafer 需要比较长的时间，因此电子束电流，电子束定位， 电子束电流分布均一性在长时间内的稳定性就显得尤为重要，这对大范围内的图形制备非常关键。
CRESTEC CABL 系列采用其 的技术使其具有 的电子束稳定性以及电子束定位精度，在大范围内可以实现图形的高精度拼接和套刻。
|
Stitching accuracy |
50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
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Overlay accuracy |
50nm (500μm sq., μ+ 3σ)
20nm (50μm sq., μ+ 2σ) |
该图是在 2 英寸 wafer 上，采用 50 um 的图案进行拼接，写满整个片子，其拼接精度低于 10 nm.（实验室数据）。
CRESTEC CABL 系列还可以加工制备 10 nm 以下的线条，无论半导体行业还是在其它领域
CRESTEC 的电子束光刻产品都发挥了巨大的作用。
主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的 TFE 电子
2.出色的电子束偏转控制技术 3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达 0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达 0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳米加工（例如单电子器件、量子器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
电子束光刻 CABL-9000C 系列最小线宽可达 8nm， 束斑直径 2nm，套刻精度
20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数： 1.最小线宽：小于 10nm（8nm available) 2.加速电压：5-50kV
3. 电 子 束 直 径 ： 小 于 2nm 4.套刻精度：20nm(mean+2σ) 5.拼接精度：20nm(mean+2σ) 6.加工晶圆尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于 2nm
分辨率的电子束光刻 CABL-UH 系列的型号包括：
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技术参数：
加速电压： 130keV
单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子 的长度超短电子 长度，无微放电
电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm
双热控制，实现超稳定直写能力
CABL-UH（130kV）系列
由于较高的加速电压，EB抗蚀剂的前向散射较小。 CABL-UH模型的准确度低于10 nm。您可以根据自己的需要选择90kV，HOkV或130kV。
光束直径：<1.6nm①
最小线宽：7 nm（在130kV时）
加速电压：130 kV，110 kV或90 kV
载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）
我的特色
?Vacc： 130kV（25-130kV，5kV步进）
?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸
?无放电电子
?光束直径：> 1.6nm
?细线能力：<7nm
?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像
?使用双热控制器实现超稳定的写入能力
I规格
电子发射器/
加速电压TFE（ZrO / W）Z25？130kV
光束直径/
最小线宽1.6nm / 7.0nm
扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）
矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）
光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻
字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）
20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，
像素数240,000x 240，OO点©矢量扫描（标准）
10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）
地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）
0.0012nm@600pmZfield（可选）
尺寸为4、6、8英寸的工件>（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）
■拼接业纭苏?50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ
重叠精度50nm（3o）@ 600pmZ
CAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）
操作系统Windows
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