PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版
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产品详情
“PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版”参数说明
别名: | Picosun原子层沉积系统ald r- | 是否有现货: | 是 |
认证: | Picosun原子层沉积系统ald r- | 品牌: | Picosun原子层沉积系统ald r- |
用途: | Picosun原子层沉积系统ald r- | 自动化程度: | 半自动 |
是否加工定制: | 是 | 电流: | 交流 |
型号: | Picosun原子层沉积系统ald r- | 规格: | Picosun原子层沉积系统ald r- |
商标: | Picosun原子层沉积系统ald r- | 包装: | Picosun原子层沉积系统ald r- |
“PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版”详细介绍
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-300高级版
(PICOSUN? ALD P-300 Advanced)
名称:原子层沉积系统 产地:芬兰
Picosun简介
Picosun是yi家全球公司,Picosun的总部位于芬兰的Espoo,其生产设施位于芬兰的Masala(Kirkkonummi)。PICOSUN®ALD设备专为高产量和高产量而设计,并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括 大的电子制造商,小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN®研发工具具有 的内置可扩展性,可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中,而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案,从而引ling行业发展时,Picosun是您的 。
PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术,并在各种各样的衬底上都表现 的均匀性,包括 具挑战性的通孔的、 深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的 级的,易更换的前驱源系统,能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度 小的薄膜层。在 基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个独立的,完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列 的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中,就会吸引到企业 。
PICOSUN®R-300
Picosun? 300mm生产线上的产品是300mm以下晶圆的自动化、高产量的工业ALD加工设备。包括PICOSUN? P系列Pro和Advanced ALD设备。该工具可以独立工作,也可以集成到PICOPLATFORM?300真空集群系统以达到 的产量和自动化水平。为了节约昂贵的设施空间,所有PICOSUN?的ALD系统有着紧凑、 的设计。集成的专业机柜,装载着前驱体和电子元件,保证了快速简便的维护和 短的停机时间。PICOSUN? P系列工具保证了 大产能以及 节约成本的情况下得到 的ALD工艺质量,并履行严格的现代半导体产业的生产力和安全要求。
工艺咨询和开发,产能提升,维护保养流程和系统及工艺的故障排除,我们客户化定制的PICOSUPPORT?综合解决方案24小时快速响应,随时待命。在购买之前,我们的演示服务保证了设备可以 满足客户 苛刻的产线需求。
技术指标
衬底尺寸和类型 |
156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(双面/背对背) |
高达300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(双面/背对背) |
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大批量的3D产品(例如:钟表部件,珠宝,硬币,医疗植入部件,机械部件等) |
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粉末与颗粒 |
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Roll-to-roll, 衬底 大宽 300 mm |
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多孔,通孔,与高深宽比(HAR)样品 |
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工艺温度 |
50-500℃ |
基片传送选件 |
气动升降(手动装载) |
半自动装载,用线性装载器实现 |
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全自动转载,用工业机器人实现 |
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前驱体 |
液态、固态、气态、臭氧源 |
前驱源余量传感器,并提供清洗和装源服务 |
|
4根独立源管线, 多加载6个前驱体源 |
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重量 |
400 + 300 kg |
尺寸 (W x H x D) |
149 cm x 191 cm x 111 cm |
选件 |
PICOFLOW? 扩散增强器,N2发生器,尾气处理器,定制设计,与工厂软件连接服务。 |
验收标准 |
标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域
客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm(6“和8”)晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 |
非均匀性(1σ) |
AI2O3 (batch) |
0.13% |
SiO2 (batch) |
0.77% |
TiO2 |
0.28% |
HfO2 |
0.47% |
ZnO |
0.94% |
Ta2O5 |
1.00% |
TiN |
1.10% |
CeO2 |
1.52% |
Pt |
3.41% |
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