EVG 301 单晶圆清洗系统基本介绍

EVG®301  Single Wafer Cleaning System

EVG®301  单晶圆清洗系统

 

研发型单晶圆清洗系统

 

EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。

EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的R＆D型系统，适用于灵活的清洁程序和300 mm的能力。

EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。

 

特征

使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行 清洁

单面清洁刷（选件）

用于晶圆清洗的稀释化学品

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程

 

选件

带有红外检查的预粘接台

非SEMI标准基材的工具

技术数据

晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米

清洁系统：开室，旋转器和清洁臂

腔室：由PP或PFA制成（可选）

清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）

旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成

 

旋转： 3000 rpm（5秒内）

超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）

输出功率：30-60 W

去离子水流量： 1.5升/分钟

有效清洁区域：Ø4.0 mm

材质：聚四氟乙烯

兆声区域传感器：频率：1 MHz（3 MHz选件）

输出功率： 2.5 W /cm²有效面积（最大输出200 W）

去离子水流量： 1.5升/分钟

有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性

材质：不锈钢和蓝宝石；刷；材质：PVA

可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）；可调参数（刷压缩，介质分配）

EVG 301 单晶圆清洗系统性能特点

 

EVG 301 单晶圆清洗系统技术参数

 

EVG 301 单晶圆清洗系统使用说明

 

EVG 301 单晶圆清洗系统采购须知