EVG光刻机主要应用于 半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS 、 ） 硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体 等 ， 涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。

主要特点

1. 高分辨率的顶部和底部显微镜 2. 双面光刻和键合对准工艺       3. 自动的微米计控制曝光间距       4. 自动契型补偿系统        5. 优异的全局光强均匀度       6. 快速更换不同规格尺寸的硅片       7. 高度自动化系统        图形化用户界面 9. 可选配Nanoalign 技术包以达到 的工艺能力 10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选 11. 光刻工艺模拟软件可选 12. 三花篮上料台，可选五花篮台            

技术参数

衬底/晶片尺寸（mm） 2 ’ ,3 ’ --150mm，150mm*150mm，0.1-10mm 厚度 掩膜板最大尺寸 7'*7' 物镜间距 8-30mm连续可调 对准方式 上部对准，CCD ±0.5um（手动半自动），全自动±1.0um，3σ 上部对准，目镜 可选 底部对准 ±1.0um（手动半自动 ） ,全自动±1.25um，3σ 红外对准 可选 键合对准 可选 Nanoalign 可选 大间隙对准 全自动±1.5um，3σ 工作台 精密微米计 手动或自动（选） 载片台 真空吸盘式，接近式隔离块（可选） 接触压力 0.5-80N可调 曝光 方式 接近式，软、硬、真空接触 分辨率 真空接触式<1.0um,接近式≤2um 波长 200-240nm/240-280nm/280-350nm/ 350-450 nm; 滤波片（可选） 光强均匀性 ≤2% 汞灯 350 W, 500 W ， 1000W 纳米压印光刻 硬压头 可选；低于 100nm 的特征线条 软压头 可选