4N80C系列mos场效应管
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产品详情
“4N80C系列mos场效应管”详细介绍
概述
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、 工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性:
热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
主要参数:
漏-源电压VDS≥800V 漏极电流ID=4A 导通电阻RDS≤3.6ohm
包装方式
管装
应用领域
电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等
SEMIWILL为您提供全系列的MOS场效应管产品,按照封装形式,可以分为:TO-251、TO-126、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-247等插件封装形式和TO-252、TO-263等贴片封装形式。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、 工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
产品特性:
热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范
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漏-源电压VDS≥800V 漏极电流ID=4A 导通电阻RDS≤3.6ohm
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