高纯溅射钽靶材 半导体
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产品详情
“高纯溅射钽靶材 半导体”参数说明
| 是否有现货： | 否 | 认证： | ISO9001 |
| 类型： | 有色重金属 | 型号： | 多种型号 |
| 规格： | 多种规格 | 商标： | AEM |
| 包装： | 小件真空袋包装，外纸箱包装 |
“高纯溅射钽靶材 半导体”详细介绍
钽靶材：钽平面靶材、钽多弧靶材、
用途：主要应用于半导体镀膜和光学镀膜
牌号：RO5200, RO5400, RO5252(Ta-2.5W), RO5255(Ta-10W)
纯度：99.9%，99.95% ,99.99%,99.999%
规格：
方靶材，厚度x宽度x长度=(1mm～25mm)x≤(10mm-800mm)x≤2000mm
圆靶材，直径x厚度=Φ(25mm-800mm) x (3mm～28mm)
公差：直径公差+/- 0.254；
再结晶： 少95%；
晶粒度： 40μm；
表面粗糙度：Ra 0.8 ；
平整度：0.1mm or 0.10% ；
成份：
牌号
主要成份
杂质含量 不大于%
Ta
Nb
Fe
Si
Ni
W
Mo
Ti
Nb
O
C
H
N
Ta1
剩余
——
0.005
0.005
0.002
0.01
0.01
0.002
0.04
0.02
0.01
0.0015
0.01
Ta2
剩余
——
0.03
0.02
0.005
0.04
0.03
0.005
0.1
0.03
0.01
0.0015
0.01
TaNb3
剩余
＜3.5
0.03
0.03
0.005
0.04
0.03
0.005
——
0.03
0.01
0.0015
0.01
TaNb20
剩余
17.0～23.0
0.03
0.03
0.005
0.04
0.03
0.005
——
0.03
0.01
0.0015
0.01
Ta2.5W
剩余
0.005
0.005
0.002
3.0
0.01
0.002
0.04
0.02
0.01
0.0015
0.01
Ta10W
剩余
0.005
0.005
0.002
11
0.01
0.002
0.04
0.02
0.01
0.0015
0.01
我司可提供质量优良的钽靶材。纯度为3N到5N，晶粒度致密性好，使用性能稳定。
应用：钽靶主要应用于光导纤维、半导体、集成电路和磁记录等溅射沉积镀膜，钽靶材可用于阴极溅射涂层，高真空吸气活性材料等。
如有特殊要求，请联系我们具体商定。
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