低压MOS场效应管 SI2305
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产品详情
“低压MOS场效应管 SI2305”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 品牌： | SI |
| 类型： | 增强型MOS管(P沟道) | 材料： | P-FET硅P沟道 |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 | 用途： | V-FET/V型槽MOS |
| 导电方式： | 增强型 | 型号： | SI2301 SI2305 SI3035 |
| 规格： | SOT23 SOT23-3L | 包装： | 3000 |
| 产量： | 5000000 |
“低压MOS场效应管 SI2305”详细介绍
单P沟道低压MOS场效应管 型号 沟道 VDS (Max) VGS VTH (Typ) ID (Max) IDM RDS(on) (Max) 封装 状态 直接替代型号 HM2301/A P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -10A 65mΩ SOT23 SOT23-3L 量产 Si2301/AP2301/SI2305/XP152A/ IRLML6401/IRML6402/AO3423 HM2301B P沟道 -20V -12V -0.7V -2.8A -10A 83mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/ IRLML6402/AO3423 HM2301C P沟道 -12V -12V -0.7V -2.8A -10A 85mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/ IRLML6402/AO3423 HM2301D P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/ IRLML6402/AO3423 HM2301E P沟道 -12V -12V -0.7V -2A -7A 95mΩ SOT23 量产 Si2301/AP2301/XP152A/ IRLML6402/AO3423 HM2301DR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -4A 350mΩ DFN1006-3L 量产 AON1605 HM2301KR P沟道 -20V -10V -0.65V -3A -6A 65mΩ SOT-323 量产 AO7413/AO7403/AO7407 Si1317DL/Si1315DL HM2301BKR /BSR/BJR P沟道 -20V -6V -0.45V -0.8A -1.6A 350mΩ SOT-323 SOT-523 SOT-723 量产 AO7413/AO7403/AO7407 Si1317DL/Si1315DL
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