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产品详情
“异步快速静态存储1Mb S6R1008C1A”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 功能结构： | 数字集成电路 |
| 封装： | BGA | 制作工艺： | 半导体集成电路 |
| 导电类型： | 单极型 | 外形： | 扁平型 |
| 集成度高低： | 大规模集成电路 | 应用领域： | 专用 |
| 44TSOP2 48FBGA： | 8/10/12/15ns | STM32位MCU ： | FPGA 缓存 |
| 替代ISSI： | 三星技术支持 | 1.65~3.6V，3.3V，5V： | 替代CYPRESS |
“异步快速静态存储1Mb S6R1008C1A”详细介绍
韩国NETSOL品牌，静态存储，快速SRAM
Fast Access Time 8, 10, 12, 15ns(Max)
？ CMOS Low Power Dissipation
Standby (TTL) : 10mA (Max.)
(CMOS) : 6mA (Max.)
Operating : 35mA (8ns, Max.)
30mA (10ns, Max.)
？ Single 3.3
±
0.3V or 5.0
±
0.5V Power Supply
- S6R10xxV1A : 3.3
±
0.3V Power Supply
- S6R10xxC1A : 5.0
±
0.5V Power Supply
？ Wide range of Power Supply
- S6R10xxW1A : 1.65V ~ 3.6V Power Supply
？ TTL Compatible Inputs and Outputs
？ Fully Static Operation, No Clock or Refresh required
？ Three State Outputs
？ Data Byte Control(x16 Mode)
LB : I/O0~ I/O7, UB : I/O8~ I/O15
？ Standard 44 TSOP2 and 48FBGA Package Pin Configuration
for 64K x 16
？ Standard 32sTSOP1 and 48FBGA Package Pin Configura
tion for 128K x 8
？ ROHS compliant
？ Operating in Commercial and Industrial Temperature range
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