锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件
产品详情
“锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件”参数说明
型号: | Ds302b | 规格: | Top-14 |
商标: | Cnd | 包装: | 袋装 |
“锑化铟InSb砷化镓GaAs霍尔元件”详细介绍
系列锑化铟InSb砷化镓(GaAs)霍尔元件
SJ系列锑化铟InSb砷化镓霍尔元件是一种采用Ⅲ-Ⅴ族半导体材料锑化铟InSb砷化镓(GaAs)单晶,用离子注入工艺制作的磁电转换元件,可将磁场强度信号线性地转换成电压信号输出。
产品特点
? 磁灵敏度高
? 线性度优 .
? 温度稳定性好
? 不等位电压低
? 采用微型封装
典型应用
? 磁场测量
? 无刷电机
? 电流传感器
? 无触点开关
? 位置控制
? 转速检测
极限参数
|
符 号 |
量 值 |
单位 |
最大控制电流 |
Ii |
10 |
mA |
工作温度范围 |
Ta |
-55~125 |
℃ |
贮存温度范围 |
TS |
-55~150 |
℃ |
电特性 (TA=25℃)
参 数 |
符号 |
测 试 条 件 |
量 值 |
单 位 |
霍尔输出电压 |
VH |
B=100mT Ii=5mA |
60~200 |
mV |
不等位电压 |
VO/VH |
Ii=5mA B=0/B=100mT |
≤12 |
% |
输入电阻 |
Ri |
Ii=1mA |
550~1200 |
Ω |
输出电阻 |
Ro |
Ii=1mA |
1100~2400 |
Ω |
VH的温度系数 |
αVH |
Ii=5mA B=100mT |
-0.07 |
%/℃ |
输入电阻与输出电阻的温度系数 |
αi,o |
Ii=1mA B=0 mT |
0.3 |
%/℃ |
线性度 |
△KH |
Ii=5mA B=0~300mT |
<2 |
% |
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