北京衡工仪器有限公司
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HG-EM多入射角激光椭偏仪可测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池

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“HG-EM多入射角激光椭偏仪可测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池”参数说明

认证: 质量保证 品牌: 衡工
适用范围: 光学实验仪器 分类: 检测仪器仪表
类目: 光学实验用仪器 型号: HG-EM
规格: 1000X1000 商标: 衡工
包装: 自制包装 产量: 100

“HG-EM多入射角激光椭偏仪可测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池”详细介绍

HG-EM多入射角激光椭偏仪

光伏专用/科研通用两种应用选择

HG-EM激光椭偏仪是针对光伏太阳能电池高端研发和质量控制领域推出的极致型多入射角激光椭偏仪。可广泛应用于晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。

HG-EM激光椭偏仪用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜镀层的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。典型纳米膜层包括SiNxITOTiO2SiO2A12O3HfO2等。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。

HG-EM激光椭偏仪融合多项科技专利技术,采用一体化样品台技术,兼容测量单晶和多晶太阳电池样品,并实现二者的轻松转换。一键式多线程操作软件,使得仪器操作简单安全。

特点:

· 粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量

· 原子层量级的极高灵敏度和准确度

· 百毫秒量级的快速测量

· 简单方便安全的仪器操作

· 一键式操作

技术指标:

项目

技术指标

仪器型号

HG-EM激光椭偏仪

激光波长

632.8nm (He-Ne Laser)

膜层厚度精度1

0.01nm (对于平面Si基底上100nmSiO2膜层)

0.03nm (对于绒面Si基底上80nmSi3N4膜层)

折射率精度1

1x10-4 (对于平面Si基底上100nmSiO2膜层)

3x10-4(对于绒面Si基底上80nmSi3N4膜层)

单次测量时间

与测量设置相关,典型0.6s

结构

PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度)

激光光束直径

1mm

入射角度

40°-90°可手动调节,步进5°

样品方位调整

一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品;

可测量156*156mm电池样品上每个点

Z轴高度调节:±6.5mm

二维俯仰调节:±4°

样品对准:光学自准直显微和望远对准系统

样品台尺寸

平面样品直径可达Φ170mm

兼容125*125mm156*156mm的太阳能电池样品

最大的膜层测量范围

粗糙表面样品:与绒面物理结构及材料性质相关

光滑平面样品:透明薄膜可达4000nm,吸收薄膜与材料性质相关

最大外形尺寸(xx)

887 x 332 x 552mm (入射角为90)

仪器重量(净重)

25Kg

选配件

水平XY轴调节平移台

真空吸附泵

软件

l中英文界面可选

l太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用

l单角度测量/多角度测量操作和数据拟合

l方便的数据显示、编辑和输出

l丰富的模型和材料数据库支持

注:(1)精度:是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。