恒迈瑞公司多年生产供应4英寸4H-SI半绝缘型碳化硅晶片，厚度500um±25um，电阻率＞,双面抛光。尺寸除4英寸外，还有6英寸和8英寸，以及光学衬底用于AR,VR眼镜。碳化硅衬底作为宽禁带半导体材料的关键基础，主要分为导电型与半绝缘型两大类，各自在特定应用领域中发挥着重要作用。

导电型碳化硅衬底以n型为主要类型，具备良好的载流子迁移特性，通常作为外延生长的基底材料，广泛应用于GaN基LED等光电子器件以及SiC基电力电子器件的制造中，为高性能、高能效的半导体器件提供可靠支撑。

半绝缘型碳化硅衬底则因其优异的绝缘特性，主要用于GaN高功率射频器件的外延制备。该类衬底能有效降低射频信号传输过程中的寄生损耗，满足高频、高功率射频电路对衬底材料的高绝缘要求。

此外，在半绝缘型衬底中，高纯半绝缘（HPSI）与常规半绝缘（SI）型在材料性能上存在一定区别。高纯半绝缘碳化硅衬底的载流子浓度通常控制在3.5×10¹³至8×10¹?/cm³范围内，并具备较高的电子迁移率，适合于对材料纯度与电学性能要求 的应用场景。而常规半绝缘碳化硅属于高阻材料，具有较高的电阻率，常被用作微波射频器件的衬底，以满足其在工作过程中对绝缘性能的基本需求。