半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片
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产品详情
“半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片”参数说明
是否有现货: | 否 | 加工定制: | 是 |
种类: | 化合物半导体 | 用途: | 电子电力 |
型号: | 4英寸 | 规格: | 4英寸 |
商标: | 恒迈瑞 | 包装: | cassette盒 |
等级: | 产品级 |
“半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片”详细介绍
半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片
碳化硅衬底主要分为导电型和半绝缘型,导电型碳化硅衬底以n型衬底为主,主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件等,半绝缘型SiC碳化硅衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件。另外高纯半绝缘HPSI与SI半绝缘是有区别的,高纯半绝缘载流子浓度3.5*1013~8*1015/cm3范围,具有较高的电子迁移率;半绝缘是高阻材料,电阻率很高,一般用于微波器件衬底,不导电。
半绝缘型碳化硅衬底片生产厂商 SiC晶片
SiC晶体结构决定了其 的物理,相对于Si和GaAs,SiC拥有 为 的物理性质;禁带宽度大,接近于Si的3倍,保证器件在高温工作下的长期可靠;击穿场强高,是Si的1O倍,保证器件耐压容量,提高器件的耐压值;饱和电子速率大,是Si的2倍,增加器件的工作频率和功率密度;热导率高,超过Si的3倍,增加了器件的散热能力,实现设备的小型化等。
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