恒迈瑞公司作为GaN氮化 晶片生产厂商，供应蓝宝石衬底氮化 晶片，氮化 GaN厚度约4.5um，2英寸蓝宝石衬底厚度430um，目前可供应硅掺单抛及非掺双抛GaN on Sapphire衬底晶片，使用蓝宝石（Al?O?）作为氮化 （GaN）器件的衬底材料，主要是由于其优越的物理特性，

1. 良好的热导率：蓝宝石的热导率较高（约为25 W/m·K），能够有效地帮助氮化 器件散热，提升器件的性能和稳定性。

2. 适合的晶格匹配：蓝宝石与氮化 的晶格常数比较接近，尽管仍存在一定的差异，但蓝宝石的晶格匹配性较其他材料（如硅） ，这有助于提高GaN器件的晶体质量。

3. 透明性：蓝宝石是透明的，尤其在紫外线范围内，因此在一些光电应用中，蓝宝石衬底不会影响光的传输。

4. 机械强度好：蓝宝石的机械强度较高，有助于器件的长期可靠性。

5. 成熟的技术：蓝宝石作为衬底材料已经有很长时间的应用历史，相关的制造工艺和技术较为成熟，成本相对较低。