碳化硅晶片厂家恒迈瑞为国内外客户供应4H-P型碳化硅衬底，分为测试D级，研究R级与产品P级。目前国内主流碳化硅衬底为导电4H-N型掺杂氮，与4H-SI半绝缘型非掺杂，而缺乏掺杂铝的导电型碳化硅晶片. P型碳化硅衬底采用LPM液相法生长，具有低电阻、高掺杂浓度等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求，欢迎有需求的客户与我们联系。

SiC晶锭的切割是SiC衬 造过程中的关键步骤，它对衬底的表面质量、尺寸精度和成本控制具有决定性作用。切割工艺不仅决定了SiC衬底的表面粗糙度（Ra）、总厚度偏差（TTV）、翘曲度（BOW）和弯曲度（WARP）等关键参数，而且对衬底的最终品质、成品率和生产成本有着深远的影响。此外，切割质量还直接影响到后续的研磨、抛光工序的效率和成本。

目前，SiC晶锭切割技术的研究和发展已经取得了显著进展，主要的切割技术包括砂浆线切割、金刚线切割和激光剥离技术。其中，砂浆线切割因其成熟度和成本效益，已成为业界的主流选择，并在大规模生产中得到广泛应用。

1. 砂浆线切割：这是一种传统的切割技术，通过使用含有磨料的线和砂浆来切割SiC晶锭。尽管这种方法成本较低，但其切割速度较慢，且可能在衬底表面留下较深的损伤层。

2. 金刚线切割：金刚线切割技术使用金刚石颗粒作为磨料，通过高速旋转的线来切割SiC晶锭。这种方法的切割速度快，表面损伤层较浅，有助于提高衬底的质量和成品率。

3. 激光剥离技术：这是一种新兴的切割技术，通过激光束的热效应来分离SiC晶锭。激光剥离技术可以提供非常 的切割，减少衬底的损伤，但目前成本相对较高，主要用于应用