4寸碳化硅基氮化 外延片生产厂家RF HEMT
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产品详情
“4寸碳化硅基氮化 外延片生产厂家RF HEMT”参数说明
是否有现货: | 否 | 加工定制: | 是 |
种类: | 化合物半导体 | 型号: | 4inch |
包装: | 晶片盒 |
“4寸碳化硅基氮化 外延片生产厂家RF HEMT”详细介绍
4寸碳化硅基氮化 外延片生产厂家RF HEMT
苏州恒迈瑞作为GaN氮化 外延片生产厂家,供应4英寸6英寸SiC碳化硅基GaN氮化 外延片,使用 产品级半绝缘碳化硅衬底,GaN-on-SiC结合了碳化硅优异的导热性和GaN高功率密度、低损耗能力,衬底上的器件可在高电压和高漏极电流下运行,结温将随RF功率缓慢升高,RF性能好,目前多数GaN射频器件的衬底都是碳化硅。氮化 材料具有宽禁带、强原子键、高热导率、化学稳定性好和强抗辐照等性质,在光电子、功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。GaN器件被广泛用于无线设备中,频率高达100 GHz的功率放大器,主要用于 雷达、卫星发射器和通用射频放大。由于GaN器件用于高压(高达1,000 V)、高温和快速开关,它们也被纳入各种开关电源应用,如DC-DC转换器、逆变器和电池充电器。
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