苏州恒迈瑞公司致力于为客户提供多元化的氮化 衬底解决方案，在自支撑GaN衬底领域已形成完整的产品系列。目前，我们可稳定供应2英寸4英寸圆形自支撑氮化 衬底片，以及尺寸为10*10.5 mm2的方形衬底片，为不同结构尺寸的器件设计提供了灵活选择。

在导电类型方面，我们提供n型非掺杂、n型硅(Si)掺杂以及铁(Fe)掺杂的半绝缘型氮化 晶片。其中，Si掺杂n型 GaN衬底具有可控的载流子浓度，Fe掺杂半绝缘GaN衬底则表现出良好的电阻率特性，能够满足高频微波器件及功率电子器件的绝缘隔离需求。

为适应不同应用场景，我们的自支撑GaN衬底设有三个产品等级：测试级适用于工艺验证和成本敏感型研发；研究级具有均衡的性能参数，满足大多数科研机构及企业的研发需求；产品级则面向对晶体质量、表面状态有较高要求的规模化器件生产。

此外，在GaN-on-Sapphire复合衬底方面，我们的产品线已覆盖2英寸和4英寸两种规格。这种复合结构结合了GaN的材料优势与蓝宝石衬底的成本效益，适用于光电器件等领域。

氮化 ( GaN) 材料具有着较宽的禁带( ～ 3．4 eV) 以及较好的物理化学性质与热稳定特点，可以 地 满足 5G 技术、新能源汽车以及 事探测等领域对高功率耐高温、高频耐高压器件的需求，其在高功率发光 设备、光通讯、探测等 光电子及电力电子器件领域具有广阔的市场前景。GaN 材料目前已被广泛应用于各种光电子器件和电力电子器件，