苏州恒迈瑞材料科技有限公司专注于第三代半导体材料的研发与制造，在硅基氮化 （GaN-on-Si）外延片领域已形成全面的产品体系。我们能够稳定供应涵盖4英寸、6英寸及8英寸的全系列外延片产品，这些材料经过专门设计与工艺优化，能够良好地满足功率电子器件与射频HEMT器件的制造需求。

在功率电子应用方面，我们的GaN-on-Si外延片适用于制造 功率开关器件。基于此类材料制作的器件，在电源管理、太阳能逆变器、工业马达驱动及电动汽车车载电源等系统中，能够助力提升能源转换效率与系统功率密度。

在射频领域，我们为HEMT器件提供的GaN-on-Si外延材料，具备良好的电子迁移率与饱和速率特性，适用于需要较高频率与功率输出的应用场景。

公司通过持续的研发投入与工艺改进，致力于提升外延材料的晶体质量、界面特性与批次均匀性。我们理解下游应用对材料性能提出的具体要求，并希望通过提供从2英寸到8英寸的灵活产品选择，为客户的研发与量产提供有力的材料支持。我们诚邀业界伙伴交流洽商，共同探讨GaN-on-Si技术在 广泛领域的应用潜力。

GaN氮化 材料的研究与应用是目前全球半导体研究的 和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新一代半导体材料。具有宽禁带、强原子键、高热导率、化学稳定性好和强抗辐照等性质，在光电子、功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。