12-200V N沟道MOSFET NCE6080A
- 买家还在看 -
-
面议 -
面议 -
面议 -
面议 -
面议 -
面议
<
>
扫码发送给微信好友 
产品详情
“12-200V N沟道MOSFET NCE6080A”参数说明
| 是否有现货： | 是 | 类型： | 增强型MOS管(N沟道) |
| 材料： | IGBT绝缘栅比极 | 封装外形： | To-220-3L |
| 用途： | 其它 |
“12-200V N沟道MOSFET NCE6080A”详细介绍
描述
NCE6080A采用沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
总体特点
●VDS = 60V, ID = 80A
RDS(ON)<6.3mΩ @ VGS=10V
RDS(ON)<7.8mΩ @ VGS=4.5V
●高密度电池设计，低RDS(ON)
●全特性雪崩电压和电流
●稳定性好，均匀性好，EAS高
●优良的包装，散热性好
应用
●PWM
●负荷开关
原理图
查看更多产品> 向您推荐
-
面议
-
面议
-
面议
-
面议
-
面议
-
面议
内容声明：您在中国制造网采购商品属于商业贸易行为。以上所展示的信息由卖家自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布卖家负责，请意识到互联网交易中的风险是客观存在的。
价格说明：该商品的参考价格，并非原价，该价格可能随着您购买数量不同或所选规格不同而发生变化；由于中国制造网不提供线上交易，最终 格，请咨询卖家，以实际 格为准。
