场效应管MT11G035B
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产品详情
“场效应管MT11G035B”参数说明
是否有现货: | 是 | 封装: | SMD |
功能结构: | 模拟集成电路 | 制作工艺: | 半导体集成电路 |
导电类型: | 双极型 | 外形: | To-263-2L |
集成度高低: | 中规模集成电路 | 应用领域: | 专用 |
型号: | Mt11g035b | 规格: | SMD |
包装: | SMD | 3*3mm: | 8寸 |
“场效应管MT11G035B”详细介绍
MT11G035B场效应管。100V m =10V产品概述VDS I D R DS(ON) @VGS GS SGT MOSFET技术经过优化,可提供高频开关性能。由于RDS(ON)和Qg的组合极低,导通和开关功率损耗都最小化。该器件是高频开关和同步整流的理想器件.
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