博亚 电压控制晶振
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“博亚 电压控制晶振”参数说明
| 振荡激励方式: | 自激 | 电路结构: | 晶体 |
| 输出波形: | 正弦波 | 应用: | 电子工业 |
| 类型: | 晶体 | 规格: | 01A、05可选 |
| 商标: | 博亚 | 包装: | 精密 |
| 电源电压: | +5VDC±5% | 老化: | 3~5*10-6/年 |
| 频率范围: | 0.75~800MHz | 产量: | 20000 |
“博亚 电压控制晶振”详细介绍
基本介绍
产品名称:电压控制晶振
性能特点
普通压控晶振老化范围为
±1*10
-6
/年~
±
5-10
-6
/年;
压控振荡器是一种输出频率可以受外加电压控制的晶体振荡器,其精度是10
-6
~10-
5
量级,它在幅频调节(FM)和锁相环(
PLL
)系统方面有着广泛的应用。典型的压控频率范围(控频范围)是±
10ppm~
±
200ppm
。
技术参数
1、
电源电压:+5VDC±
5%
;
2、 频率范围:0.75~800MHz;
3、 频率温度稳定度:±10ppm~± 35ppm;
4、 老化:3~5*10 -6 /年;
5、 输出特性:
正弦波 输出幅度:≥7dBm/50Ω
谐波抑制:≤-30dBc
杂波抑制:≤-60dBc
TTL HCMOS 负载:10K Ω /10PF
占空比:45%~55%
6、控频范围:
W ± 250ppm;
X ±190ppm;
Y ±100ppm;
Z ±10ppm;
7、封装尺寸:01A 、 05 可选
2、 频率范围:0.75~800MHz;
3、 频率温度稳定度:±10ppm~± 35ppm;
4、 老化:3~5*10 -6 /年;
5、 输出特性:
正弦波 输出幅度:≥7dBm/50Ω
谐波抑制:≤-30dBc
杂波抑制:≤-60dBc
TTL HCMOS 负载:10K Ω /10PF
占空比:45%~55%
6、控频范围:
W ± 250ppm;
X ±190ppm;
Y ±100ppm;
Z ±10ppm;
7、封装尺寸:01A 、 05 可选
使用说明
使用场所:时钟、基站、测试设备、频率综合器、 事通信设备、雷达
安全操作说明:由于影响晶振短期稳定性的主要因素是温度变化,在设计通盘布局的考虑下,尽量避免将晶振靠近机箱外壳或靠近温变较大的部件如风扇,还应该远离大功率射频器件如射频功放。在振动或存在加速度变化的环境下,还应该考虑晶振的受力,确保应力分布均匀,并采取有效缓冲等减振措施。
安全操作说明:由于影响晶振短期稳定性的主要因素是温度变化,在设计通盘布局的考虑下,尽量避免将晶振靠近机箱外壳或靠近温变较大的部件如风扇,还应该远离大功率射频器件如射频功放。在振动或存在加速度变化的环境下,还应该考虑晶振的受力,确保应力分布均匀,并采取有效缓冲等减振措施。
采购须知
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