光刻胶去除剂高剪切分散机基本介绍

光刻胶去除剂分散机，高剪切清洗液均质机，氧化物抛光液研磨分散机，高速三级乳化机

研磨式分散机是由胶体磨,分散机组合而成的高科技产品。
*级由具有精细度递升的三级锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每级都可以改变方向。
第二级由转定子组成。分散头的设计也很好地满足不同粘度的物质以及颗粒粒径的需要。在线式的定子和转子（乳化头）和批次式机器的工作头设计的不同主要是因为在对输送性的要求方面，特别要引起注意的是：在粗精度、中等精度、细精度和其他一些工作头类型之间的区别不光是 转子齿的排列，还有一个很重要的区别是不同工作头的几何学特征不一样。狭槽数、狭槽宽度以及其他几何学特征都能改变定子和转子工作头的不同功能。根据以往的惯例，依据以前的经验 工作头来满足一个具体的应用。在大多数情况下，机器的构造是和具体应用相匹配的，因而它对制造出终产品是很重要。当不确定一种工作头的构造是否满足预期的应用。线速度很高，剪切间隙非常小，这样当物料经过的时候，形成的摩擦力就比较剧烈，结果就是通常所说的湿磨。定转子被制成圆椎形，具有精细度递升的三级锯齿突起和凹槽。定子可以无限制的被调整到所需要的与转子之间的距离。在增强的流体湍流下，凹槽在每级都可以改变方向。高质量的表面抛光和结构材料，可以满足不同行业的多种要求根据光刻胶下游应用领域不同，公司光刻胶去除剂包括集成电路制造用、晶圆级封装用、LED/OLED用等系列产品，是用于图形化工艺光刻胶残留物去除的湿化学品，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶残留物。

光刻胶去除剂高剪切分散机性能特点

 

光刻胶去除剂高剪切分散机技术参数

随着集成电路技术的发展，其关键尺寸逐渐降低到亚微米。湿法蚀刻工艺因其各向同性蚀刻特性，越来越不能满足需求，干法蚀刻工艺应运而生。干法蚀刻工艺提供各向异性蚀刻形成金属线（metal）、通孔（via）的同时，其离子束对光刻胶及铝硅铜、铝铜、氧化物非介电质材质进行轰击，使其表面形成高度交联的光刻胶残留物，同时因氩气轰击反溅作用，侧壁富含金属材质。干法灰化工艺的采用，使其残留物中含有有机、无机氧化物及其金属化合物。这就要求光刻胶去除同时具有有机残留物、无机残留物以及金属交联残留物去除能力。

型号	标准流量 L/H	输出转速 rpm	标准线速度 m/s	马达功率 KW	进口尺寸	出口尺寸
XMD2000/4	400	18000	44	4	DN25	DN15
XMD2000/5	1500	10500	44	11	DN40	DN32
XMD2000/10	4000	7200	44	22	DN80	DN65
XMD2000/20	10000	4900	44	45	DN80	DN65
XMD2000/30	20000	2850	44	90	DN150	DN125
XMD2000/50	60000	1100	44	160	DN200	DN150

光刻胶去除剂高剪切分散机

光刻胶去除剂高剪切分散机使用说明

 

光刻胶去除剂高剪切分散机采购须知