封装基板是连接内外散热通路的重要环节，兼有散热通道、电路连接和对芯片进行物理支撑的功能。陶瓷PCB以其优良的性能和逐渐降低的价格，在众多电子封装材料中显示出很强的竞争力，是未来功率型芯片封装发展的趋势。

       对高功率产品来讲，其封装基板要求具有高电绝缘性、高导热性、与芯片匹配的热膨胀系数等特性。使用陶瓷电路板可以有效的延长产品寿命，节约空间，做到产品的小型化，节能环保也是陶瓷基板的优点,现在市场上使用比较普遍的是氧化铝(Al2O3) 陶瓷，氮化铝（AlN）陶瓷。

       氧化铝(Al2O3) 陶瓷呈白色，热导率为20 W/(m-K) 30 W/(mK), 25°C~200°C温度范围内热膨胀系数为7.0 x 10-6/°C ~8.0 x 10-6/°C，弹性模量约为300 GPa，抗弯强度为300 MPa 400 MPa，介电常数为10，根据AI2O3粉料与添加剂的不同含量，可将AI2O3陶瓷分为75瓷、85瓷、96瓷、99瓷等不同牌号。氧化铝陶瓷具有原料来源丰富、价格低廉、绝缘性高、耐热冲击、抗化学腐蚀及机械强度高等 优点，是一种综合性能较好的陶瓷基片材料，占陶瓷基片材料总量的80%以上。但由于其热导率相对较低（99%氧化铝热导率约为30 W/（m-K），热膨胀系数较高，一般应用在汽车电子、半导体照明、 电气设备等领域。

        氮化铝（AlN）陶瓷具有优良的热学、电学和力学性能。 氮化铝材料呈灰白色，陶瓷理论热导率可达 320 W/（mK）,其商用产品热导率一般为180 W/（m-K）~ 260 W/（m-K），25°C ~200°C温度范围内热膨胀系数为4 x 10-6/°C （与Si和GaAs等半导体芯片材料基本匹配），弹性模量为310GPa，抗弯强度为300MPa~340MPa，介电常数为8~10。 氮化铝陶瓷热导率为氧化铝陶瓷的6~8倍,但热膨胀系数只有其50%，此外还具有绝缘强度高、介电常数低、耐腐蚀性好等优势。除了成本较高外，氮化铝陶瓷综合性能均 氧化铝陶瓷，是一种非常理想的电子封装基片材料。

       我们用磁控溅射技术实现了一种新型绝缘陶瓷基板的PCB。在陶瓷基材表面利用磁控溅射的方式形成一层厚度为1-3微米的金属层，用干膜附着设计出电路。这种绝缘陶瓷基板PCB 散热性能好，还能消除高温下的分层或剥离。

磁控溅射技术的原理过程

1 基本溅射过程

溅射是一种在真空状态下通过弧光放电的方式将钛金属材料沉积到基材表面，从而形成一层底层薄膜的真空工艺过程。基本溅射工艺如下： 电子撞击惰性气体原子（ 通常氩） ，使其成为离子。这些高能离子在电场的作用下轰击钛靶。强烈的轰击使目标原子逃出材料表面，在电场的作用下最终在基板的表面形成一层薄膜，该原子层薄膜的厚度取决于溅射时间。

2 磁控溅射过程

磁控溅射全过程和基本溅射过程相比，两者的主要区别在于磁控溅射过程比基本溅射过程在目标区域多一个强大的磁场，这个磁场使得电子沿着磁场线在目标区域运动，而不会被基底吸引过去。因此，相比于基本溅射过程，磁控溅射过程有三个优点：

（1）等离子区 于目标材料附近，不会损害正在形成薄膜。

（2）电子运动的距离变得长，增加了电子电离氩原子的概率，这意味着目标原子将被轰击出来，从而提高了溅射工艺的效率。

（3）磁控溅射产生的薄膜杂质含量 ，保证了膜的质量。

在日常生产中镀膜属于前端工序，做好截留与自检能大大降低品质风险，首先在生产过程中出现异常情况的产品要及时进行截留，做好标识记录。自检是保证每炉产品的一致性，设备的日常点检保养，人员的操作行为规范。这也是斯利通生产制造的重要细节部分。

以上就是斯利通陶瓷电路板DPC工艺，用磁控溅射的方法将铜与陶瓷基板牢牢的结合起来，所以陶瓷电路板的金属结晶性能好，平整度好、线路不易脱落，并具有可靠稳定的性能，从而有效提升芯片与基板的结合强度，有利于下游产品的品质管控。