MBT3946DW1T双通用SOT-363晶体管
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“MBT3946DW1T双通用SOT-363晶体管”参数说明
| 品牌： | MBT3946DW1T | 类型： | 增强型MOS管(N沟道) |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | 封装外形： | CHIP/小型片状 |
| 用途： | L/功率放大 | 导电方式： | 增强型 |
| 型号： | MBT3946DW1T | 规格： | MBT3946DW1T |
| 商标： | MBT3946DW1T | 包装： | MBT3946DW1T |
“MBT3946DW1T双通用SOT-363晶体管”详细介绍
MBT3946DW1T1货源PDF芯片资料MBT3946DW1T双通用SOT-363晶体管
MBT3946DW1T1G货源 PDF 芯片资料 报价 | MBT3946DW1
产品型号:MBT3946DW1T1类型:双晶体管集电极－发射集 雪崩电压Vceo(V):40集电极最大电流Ic(max)(mA):200直流电流增益hFE最小值(dB):100直流电流增益hFE最大值(dB):300最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):250封装/温度(℃)SOT-363晶体管.
?h FE，100-300
?低V CE（sat），<0.4 V.
?简化电路设计
?减少电路板空间
?减少组件数量
?提供8毫米，7英寸/ 3,000单位胶带和卷盘
?设备标记：LMBT3946DW1T1 = 46
LMBT3946DW1T1器件是我们广受欢迎的产品SOT-23 / SOT-323三引线器件。 它是为一般设计的目的放大器应用并安装在SOT-363中六引线表面贴装封装。 通过放入两个分立器件
一个封装，该器件非常适合低功率表面贴装电路板空间非常宝贵的应用。
深圳市骊微电子科技有限公司专业研发生产销售IC和MOS管，已经从事半导体行业多年，有丰富的经验，主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，公司同时提供电源产品应用与电源设计服务，代理了士兰微，芯朋微，德普微，天钰，华润华晶，泉芯，赛威，芯龙等一系列产品，为客户提供完善的技术支持与产品方案。其中包括自主封装生产二三极管产品及国内外一些品牌电源管理IC代理销售！
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