深圳市天创微电子有限公司

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经营模式: 贸易批发

所在地区: 广东省  深圳市

认证信息: 身份认证

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BQ24773 具有系统监控器和处理器热

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价格 面议
起批量 1
供货总量 30000件
产地 广东省/深圳市
发货期 自买家付款之日起3天内发货
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产品详情

“BQ24773 具有系统监控器和处理器热”参数说明

是否有现货: 认证: Bq24773
封装: SMD 功能结构: 数/模混合集成电路
制作工艺: 半导体集成电路 导电类型: 双极型
集成度高低: 大规模集成电路 型号: Bq24773
规格: Bq24773 包装: 3000
专利分类: Bq24773 专利号: Bq24773

“BQ24773 具有系统监控器和处理器热”详细介绍

描述

 

bq2477x 是一款同步的 NVDC-1 电池充电控制器,所含元件数较少,适用于空间受限的多化合物电池充电 解决方案。

电源路径管理可将系统电压稳定在电池电压,但不会低于系统最小电压(可编程)。借助该功能,即使在电池完全放电或被移除的情况下,系统也能够保持运行。凭借电源路径管理,电池可为系统提供补充电流,避免输入电源发生过载。

bq2477x 可为 N 沟道 ACFET 和反向阻断 FET 提供驱动器和电源路径管理。该器件还提供了相应的驱动器以控制外部 P 沟道电池 FET 的 NVDC 操作。它还能够驱动开关稳压器的高侧和低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。

bq2477x 可监视适配器电流 (IADP)、电池充电/放电电流 (IBAT) 以及系统功率 (PMON)。该器件还具有可灵活编程的 PROCHOT 输出,可根据需要直接控制 CPU 降低其运行速度。



bq2477x 是一款同步的 NVDC-1 电池充电控制器,所含元件数较少,适用于空间受限的多化合物电池充电 解决方案。

电源路径管理可将系统电压稳定在电池电压,但不会低于系统 电压(可编程)。借助该功能,即使在电池完全放电或被移除的情况下,系统也能够保持运行。凭借电源路径管理,电池可为系统提供补充电流,避免输入电源发生过载。

bq2477x 可为 N 沟道 ACFET 和反向阻断 FET 提供驱动器和电源路径管理。该器件还提供了相应的驱动器以控制外部 P 沟道电池 FET 的 NVDC 操作。它还能够驱动开关稳压器的高侧和低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。

bq2477x 可监视适配器电流 (IADP)、电池充电/放电电流 (IBAT) 以及系统功率 (PMON)。该器件还具有可灵活编程的 PROCHOT 输出,可根据需要直接控制 CPU 降低其运行速度。


 

特性

 

 主机控制的 NVDC-1 1-4 节电池充电控制器,输入电压范围为 4.5-24V
 支持 SMBus (bq24770) 和 I2C (bq24773)
 无电池或电池深度放电的情况下支持系统即时启动操作
 可在适配器满载时进入补充模式,支持同步 BATFET 控制

 100μs 超快速输入电流 DPM
 20mA 负载条件下,兼具 600μA 的低静态电流和 >80% 的高脉冲频率调制 (PFM) 轻负载效率,符合 Energy Star 和 ERP Lot6 标准。
 高精度电源/电流监视器,可限制 CPU 的运行速度
 全面的 PROCHOT 配置
 输入和电池电流监视器 (IADP/IBAT)
 系统功率监视器 (PMON)

 可编程输入电流限制、充电电压、充电电流和系统 电压调节
 ±0.5% 充电电压(16mV/步长)
 ±2% 输入/充电电流(64mA/步长)
 ±2% 40x 输入/16x 放电/20x 充电电流监视器

 支持电池 LEARN(学习)功能
 高集成度
 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) ACFET 和 RBFET 驱动器
 P 沟道金属氧化物半导体 (PMOS) 电池场效应管 (FET) 栅极驱动器
 内部环路补偿
 独立比较器
 支持自动涓流充电,用于唤醒电量监测计

  600kHz 至 1.2MHz 的可编程开关频率

 

 

 


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