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杭州凯亚达半导体材料有限公司是碲系化合物,铜铟镓硒(CIGS)系列材料,氧系化合物的优良生产制造厂家,竭诚为您提供全新的凯亚达 四碘化碲 TeI4 4N 热电掺杂,**高纯 三硒化二* Ga2Se3 5N,**高纯 氯化亚铟 InCl 4N 99.99%等系列产品。

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**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N
优质超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N

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订货量(千克) 价格(元/千克)
≥1 1.00
供货总量: 500千克
产地: 乐山夹*县
发货期: 自买家付款之日起5天内发货
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“**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N”参数说明

是否有现货: 认证: 国标
类型: 氧化镓 形态: 粉状状
品质: 特别品 种类: 氧化镓
型号: Ga2o3 99.999 规格: 99.999
商标: 凯亚达 包装: 1kg/瓶
产量: 500

“**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N”详细介绍

**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N基本介绍

三氧化二*(Ga2O3)

CAS:12024-21-4

1,技术对接:电弧发加热,瞬间使*气化,气化后的*蒸气与过量的氧气CVD化学气相沉积而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任何酸根离子;如:氯离子,硝酸根离子;

2,检验: GDMS (99.99%纯度:所有的杂质元素低于100ppm)

          XRD:(主峰完全对称);激光粒度分析仪:(粒径:D50<10微米);

3,服务:提供MSDS及实用的防护措施;提供材料的应用解决方案;提供免费样品;

4,性状:α-Ga2O3为六方晶型,β-Ga2O3属于单斜晶型;

5,纯度:99.99%-99.999%;

6,外观:纯白色粉末;

7,包装:瓶装:1Kg/瓶,外加铝复合薄膜真空包装;

8,应用:TGG单晶,光电子器件,紫外线滤光片等;

9,交期:50公斤/5天;
**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N性能特点

三氧化二*(Ga2O3)

CAS:12024-21-4

1,技术对接:电弧发加热,瞬间使*气化,气化后的*蒸气与过量的氧气CVD化学气相沉积而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任何酸根离子;如:氯离子,硝酸根离子;

2,检验: GDMS (99.99%纯度:所有的杂质元素低于100ppm)

          XRD:(主峰完全对称);激光粒度分析仪:(粒径:D50<10微米);

3,服务:提供MSDS及实用的防护措施;提供材料的应用解决方案;提供免费样品;

4,性状:α-Ga2O3为六方晶型,β-Ga2O3属于单斜晶型;

5,纯度:99.99%-99.999%;

6,外观:纯白色粉末;

7,包装:瓶装:1Kg/瓶,外加铝复合薄膜真空包装;

8,应用:TGG单晶,光电子器件,紫外线滤光片等;

9,交期:50公斤/5天;
**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N技术参数
 
**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N使用说明
 
**超纯 氧化镓 Ga2O3 4N-5N采购须知