DBC-112 可控硅静态综合测试设备
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产品详情
“DBC-112 可控硅静态综合测试设备”参数说明
是否有现货: | 是 | 元器件种类: | 半导体器件测试仪 |
型号: | Dbc-112 | 规格: | 800*800*80 |
商标: | 西安智盈电气 | 包装: | 木箱 |
产量: | 10 |
“DBC-112 可控硅静态综合测试设备”详细介绍
系统单元及参数条件
门极触发电压/门极触发电流测试单元IGT/VGT |
阳极电压:12V 阳极串联电阻:6Ω 门极触发电压:0.3~5.00V ±3%±10mV 门极触发电流:2~450mA ±3%±1 mA |
维持电流测试单元IH |
阳极电压:12V 预导通电流:>10A,正弦衰减波 维持电流: 2~450mA ±5%±1 mA 测试频率:单次 |
通态压降测试单元VTM |
平板器件通态电流:0.10~10.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5% 模块器件通态电流:0.10~2.00kA, 分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5% 电流上升沿时间:≥5ms 通态压降测试范围: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5% 测试频率:单次 |
断态电压/断态漏电流VD/ID 反向电压/反向漏电流VR/IR测试单元 |
阻断电压:0.20~8.50kV, 分辨率:0.01kV, 精度±0.1 kV±3% 模块单元阻断电压:0.20~4.00kV 正反向自动测试 正/反向漏电流:0.2~100 mA, 分辨率:0.1 mA, 精度±5%±1 mA 输出保护电压和电流可计算机设定范围值;在测试时电压或漏电流超过所 设定的范围则自动保护,测试频率: 50HZ |
断态电压临界上升率测试单元dv/dt |
电压:1200V,1600V,2000V三档, 1V,±5% 电压过冲范围:<50V±10% DV/DT电压上升率三挡选择:dv/dt:800V/μs、1000V/μs,1200V/μs±10% |
阻断参数测试单元 |
测量晶闸管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二极管的VRRM、IRRM等参数。 |
擎住电流IL |
100-1800mA |
平板夹具压力范围 |
6-60KN,气动加压方式 |
门极电阻 |
5-50R |
计算机控制系统 |
设备的所有工作程序,工作时序,开关的动作状态,数据的采集等均由计算机完成。工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。 |
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