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磁屏蔽材料,CO-NETIC磁屏蔽材料,S3-6磁屏蔽材料
磁屏蔽材料,CO-NETIC磁屏蔽材料,S3-6磁屏蔽材料

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“磁屏蔽材料,CO-NETIC磁屏蔽材料,S3-6磁屏蔽材料”参数说明

是否有现货: 认证: 电磁屏蔽材料
材料: 永磁材料 类型: 屏蔽材料
型号: 电磁屏蔽材料 规格: 进口
**磁导率: 4.000 拉伸强度,PSI x 103: 42
饱和感应(高斯): 21,400 膨胀系数,per ℃ x 10-6: 13.7
产量: 5000

“磁屏蔽材料,CO-NETIC磁屏蔽材料,S3-6磁屏蔽材料”详细介绍

磁屏蔽材料
基本原理
当磁场的频率很低(工频或100KHz以下)时,传统的**方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响,如阴极射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的,当有外界磁场干扰时,电子束的偏转会发生变化,使图像失真。
低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路,使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中,从而起到屏蔽的作用。
设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的**效能,又不至于发生饱和。当要**的磁场很强时,一层**可能满足不了要求,这时可以采用多层**。多层**的原理是先用导磁率较低,不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度,然后再用磁导率很高(通常容易发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。
完全的封闭体能够提供*理想的磁**效果。但在实践中,不封闭的结构,如五面体或更少面的结构,甚至平板也能提供满足要求的**效能。当使用平板时,应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与**结构的尺寸有关,因此除了选用合适的材料以外,尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁**效能。



磁屏蔽材料特性
  CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有极高的导磁率,可以有效衰减低频磁场干扰,达到极高磁场屏蔽,NETIC材料有极好的抗磁饱和能力,能在强磁场产生一定衰减。

“磁屏蔽材料,CO-NETIC磁屏蔽材料,S3-6磁屏蔽材料”其他说明

技术参数 CO-NETIC AA CO-NETIC AA CO-NETIC B NETIC S3-6
完全退火 压力退火 压力退火 压力退火
密度 8.74 8.74 8.18 7.86
膨胀系数,per ℃ x 10 -6 12.6 12.6 8.3 13.7
拉伸强度,PSI x 10 3 64 85 80 42
屈服应力,PSI x 10 3 18.5 33 27 27
弹性模量,PSI x 10 6 25 30 24 30
硬度,Rockwell B 50 Ref. 70 Ref. 68 Ref. 50 Ref.
2英寸伸长率(百分比) 27% 32% 32% 38%
熔点 2650 o F1454℃ 2650 o F1454℃ 2600 o F1427℃ 2790 o F1532℃
导热性(cal/sec/cm 2
/cm/℃) at 20℃
.138 .138 .037 .118
电阻 ohms/cir mil-foot 330 330 290 64
微欧姆-厘米 55 55 48 11
饱和感应(高斯) 8,000 8,000* 15.000* 21,400
起始磁导率 30.000 30,000* 8,000* 200
磁导率 at 40 B 75,000 75,000* 12,000* 300
磁导率 at 200 B 135,000 135,000* 30.000* 500
**磁导率 450,000 45,000* 150,000* 4.000
磁感应 at μ max 3.000 3,000* 7,000* 8.000
抗磁力 Hc,奥斯特 .015 .015* .05 1.0
居里温度 850 o F 454℃ 850 o F 454℃ 840 o F 449℃ 1420 o F 770℃
**工作温度 4 o K 4 o K 4 o K 4 o K